




1.化學(xué)拋光設(shè)備簡單,可根據(jù)每批所處理的產(chǎn)品數(shù)量而設(shè)計建成,造價低。
2.化學(xué)拋光不需要直流電源和電掛具。
3.特別適合拋光大型的各種材料建材或形狀復(fù)雜的大型零部件。
&nbs自己設(shè)計木材切割機(jī)p; 4.可以同時拋光很多工件,效率很高。主要用于工件的裝飾性加工。
5.溶液壽命短,消耗大,再生困難。
6.拋光過程中會產(chǎn)生酸霧或***氣體,不利于工人健康及環(huán)境保護(hù)。
&nb木材切割機(jī)械sp; 7.拋光后,工件表面的粗糙度較其他方法得出的大。
CMP技術(shù)的概念是1965年由Manto提出。該技術(shù)是用于獲取高質(zhì)量的玻璃表面,如望遠(yuǎn)鏡等。1988年IBM開始將CMP技術(shù)運用于4MDRAM 的制造中,而自從1991年IBM將CMP成功應(yīng)用到64MDRAM 的生產(chǎn)中以后,CMP技術(shù)在世界各地迅速發(fā)展起來。區(qū)別于傳統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)的拋光方法,兩酸拋光廠家,CMP通過化學(xué)的和機(jī)械的綜合作用,從而避免了由單純機(jī)械拋光造成的表面損傷和由單純化學(xué)拋光易造成的拋光速度慢、表面平整度和拋光一致性差等缺點。它利用了磨損中的“軟磨硬”原理,即用較軟的材料來進(jìn)行拋光以實現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。
隨著環(huán)保意識及***的加強,目前越來越多的工廠選擇兩酸拋光工藝。但是兩酸在3C產(chǎn)品生產(chǎn)過程中存在以下問題:1.當(dāng)拋光液中鋁離子濃度超過16g/L時,兩酸拋光,拋光帶有通孔或盲孔的噴砂工件時會產(chǎn)生拋痕,尤其當(dāng)噴砂工件為Al5252材質(zhì)的鋁合金時拋痕更為明顯。2.對經(jīng)T處理的鋁塑復(fù)合件拋光時鋁塑交界處易出現(xiàn)不均勻,塑料件易發(fā)黃。3.鋁合金工件在自動拋光線上拋光時在工件轉(zhuǎn)移過程中所需時間通常在18秒以上,鋁型材化拋生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移所花的時間更長通常在30秒以上,在轉(zhuǎn)移過程中由于拋光液的滴趟會在表面形成不規(guī)則的流痕,影響外觀效果。
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