芯片的背部減薄制程

1. Grinding制程：

對(duì)外延片以Lapping的方式雖然加工品質(zhì)較好，但是移除率太低，也只能達(dá)到3um/min左右，如果全程使用Lapping的話，加工就需耗時(shí)約2h，時(shí)間成本過高。目前的解決方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通過鉆石砂輪與減薄機(jī)的配合來達(dá)到快速減薄的目的。

2. Lapping制程

減薄之后再使用6um左右的多晶鉆石液配合樹脂銅盤，既能達(dá)到較高的移除率，又能修復(fù)Grinding制程留下的較深刮傷。一般來說切割過程中發(fā)生裂片都是由于Grinding制程中較深的刮傷沒有去除，因此此時(shí)對(duì)鉆石液的要求也比較高。

除了裂片之外，有些芯片廠家為了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后還會(huì)在外延片背面鍍銅，此時(shí)對(duì)Lapping之后的表面提出了更高的要求。雖然有些刮傷不會(huì)引起裂片，但是會(huì)影響背鍍的效果。此時(shí)可以采用3um多晶鉆石液或者更小的細(xì)微性來進(jìn)行Lapping制程，以達(dá)到更好的表面品質(zhì)。

光伏組件老化箱又稱濕凍試驗(yàn)箱、光伏濕凍試驗(yàn)箱等，英崗探針回收，該設(shè)備適用于光伏組件（太陽能電池板）、光伏玻璃、薄膜組件、太陽能電池等做熱循環(huán)、濕凍循環(huán)、高溫高濕雙85試驗(yàn)，以確認(rèn)組件能否承受高溫高濕之后隨之的負(fù)溫度影響，以及對(duì)于溫度重復(fù)變化時(shí)引起的疲勞和熱失效，另外確定光伏組件曝露在高濕度下而產(chǎn)生的熱應(yīng)力及能夠抵抗?jié)駳忾L(zhǎng)期滲透的能力.是光伏組件行業(yè)必不可少的測(cè)試設(shè)備。

YASELINE光伏組件老化箱技術(shù)指標(biāo)：

溫度范圍：-60℃～+100℃

溫度波動(dòng)度：±0.5℃

溫度偏差：±2℃

升、降溫速率：按照IEC 61646試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)(見0條)

濕度試驗(yàn)：85℃，85% R.H

濕度范圍：20%～95% R.H

樣品承重：太陽能薄膜組件： 6片 180kg、鋁合金型材置物架：280kg

試驗(yàn)方法：a.熱循環(huán)試驗(yàn)  b.濕-凍試驗(yàn)  c.濕-熱試驗(yàn)

定時(shí)功能：0.1～999.9（H、M、S）可調(diào)

戶外測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)方案

2.1 光伏組件戶外性能測(cè)試要求

光伏組件輸出特性主要受太陽輻照度及環(huán)境溫度的影響。當(dāng)光伏組件工作于戶外特定環(huán)境時(shí)，需測(cè)量環(huán)境輻照度及組件溫度。傳統(tǒng)的IV特性曲線測(cè)量方法是使可編程電子負(fù)載工作于恒壓或者恒流工作模式，以固定步長(zhǎng)掃描，由于光伏組件IV 特性曲線具有類似半導(dǎo)體二極管的對(duì)數(shù)曲線形狀，當(dāng)光伏組件工作于恒流段或恒壓段時(shí)，僅利用恒流或恒壓工作模式的電子負(fù)載測(cè)量將造成曲線相應(yīng)部分的測(cè)量點(diǎn)稀少。此外，為測(cè)試光伏組件戶外性能，還需根據(jù)用戶設(shè)定，保持被測(cè)光伏組件長(zhǎng)期工作于開路、短路或大功率等工作狀態(tài)，因此不可使用傳統(tǒng)的現(xiàn)場(chǎng)電容充電或電子負(fù)載瞬時(shí)測(cè)量IV特性曲線的方法。