車(chē)載逆變器產(chǎn)品的主要元器件參數(shù)及代換
圖1電路中的主要器件有驅(qū)動(dòng)管SS8550、KSP44，回收光伏板發(fā)電板回收采購(gòu)收購(gòu)，MOS功率開(kāi)關(guān)管IRFZ48N、IRF740A，快***整流二極管HER306以及PWM 控制芯片TL494CN (或KA7500C)。
SS8550為T(mén)O-92形式封裝的PNP型三極管。其引腳電極的識(shí)別方法是，當(dāng)面向三極管的印字標(biāo)識(shí)面時(shí)，引腳1為發(fā)射極E、2為基極B、3為集電極C。
SS8550的主要參數(shù)指標(biāo)為：BVCBO=-40V，BVCEO=-25V，VCE(S)=-0.28V， VBE(ON)=-0.66V ，fT=200MHz，ICM=1.5A，PCM=1W，TJ= 150℃ ，hFE=85～160(B)、120～200(C)、160～300(D)。
與TO-92形式封裝的SS8550相對(duì)應(yīng)的表貼器件型號(hào)為S8550LT1，其封裝形式為SOT-23。
SS8550為目前市場(chǎng)上較為常見(jiàn)、易購(gòu)的三極管，價(jià)格也比較便宜，單只售價(jià)僅0.3元左右。
KSP44為T(mén)O-92形式封裝的NPN型三極管。其引腳電極的識(shí)別方法是，當(dāng)面向三極管的印字標(biāo)識(shí)面時(shí)，其引腳1為發(fā)射極E、2為基極B、3為集電極C。
KSP44的主要參數(shù)指標(biāo)為：BVCBO=500V ，BVCEO=400V，VCE(S)=0.5V ，免費(fèi)回收光伏板發(fā)電板，VBE(ON)=0.75V ，ICM=300mA ，PCM=0.625W ，TJ=150℃，hFE=40～200。
多晶硅的技術(shù)特征
⑴多種生產(chǎn)工藝路線并存，產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、壟斷局面不會(huì)改變。由于各多晶硅生產(chǎn)工廠所用主輔原料不盡相同，因此生產(chǎn)工藝技術(shù)不同；進(jìn)而對(duì)應(yīng)的多晶硅產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)、產(chǎn)品質(zhì)量指標(biāo)、用途、產(chǎn)品檢測(cè)方法、過(guò)程安全等方面也存在差異，各有技術(shù)特點(diǎn)和技術(shù)秘密，總的來(lái)說(shuō)，國(guó)際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有：改良西門(mén)子法、***法和流化床法。其中改良西門(mén)子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%，短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷的局面不會(huì)改變。
⑵新一代低成本多晶硅工藝技術(shù)研究活躍。除了傳統(tǒng)工藝（電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)兼容）及技術(shù)升級(jí)外，還涌現(xiàn)出了幾種專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的新工藝技術(shù)，主要有：改良西門(mén)子法的格工藝；冶金法從金屬硅中提取高純度硅；高純度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deiTIon）；還原或熱分解工藝；無(wú)氯工藝技術(shù)，廠家回收光伏板發(fā)電板，Al－Si溶體低溫制備太陽(yáng)能級(jí)硅；熔鹽電解法等。
超高速溝道IGBT也提供方形反向偏壓工作區(qū)、高175℃結(jié)溫，還可承受4倍的額定電流。為了要顯示它們的耐用性，南平回收光伏板發(fā)電板，這些功率器件也經(jīng)過(guò)100%鉗位電感負(fù)載測(cè)試。
與高側(cè)不同，通態(tài)耗損支配了低側(cè)IGBT。因?yàn)榈蛡?cè)晶體管的工作頻率只有60Hz，開(kāi)關(guān)損耗對(duì)這些器件來(lái)說(shuō)微不足道。標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT是特別為低頻率和較低通態(tài)耗損而設(shè)計(jì)。所以，隨著低側(cè)器件于60Hz進(jìn)行開(kāi)關(guān)，這些IGBT要通過(guò)采用標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT來(lái)達(dá)到的低功率耗損水平。因?yàn)檫@些器件的開(kāi)關(guān)損耗非常少，標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT的總耗散并沒(méi)有受到其開(kāi)關(guān)耗損所影響?；谶@些考慮，標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT IRG4BC20SD因此成為低功率器件的選擇。一個(gè)第四代IGBT與超高速軟***反向并聯(lián)二極管協(xié)同封裝，并且為低飽和電壓和低工作頻率(<1kHz)進(jìn)行優(yōu)化。在10A下的典型Vce(on)為1.4V。針對(duì)低正向降及反向漏電流，跨越低側(cè)IGBT的協(xié)同封裝二極管已經(jīng)優(yōu)化了，以在續(xù)流和反向***期間把損耗降到低。
