數(shù)字IC驗(yàn)證綜合知識(shí)

接口的強(qiáng)大功能：一是簡(jiǎn)化模塊之間的連接；二是實(shí)現(xiàn)類(lèi)和模塊之間的通信?？梢哉f(shuō)接口的功能固然強(qiáng)大，但是問(wèn)題又來(lái)了：

首先，因?yàn)槭聞?wù)交易處理器中的方法采用了層次化應(yīng)用的方式去訪問(wèn)對(duì)應(yīng)端口的信號(hào)，所以我們只能為兩個(gè)相同功能的接口分別編寫(xiě)兩個(gè)幾乎一樣的事務(wù)交易處理器，為什么呢？因?yàn)椴捎玫氖菍哟位膽?yīng)用，假如設(shè)計(jì)中的某個(gè)引腳名字需要修改，我們只能修改驅(qū)動(dòng)這個(gè)端口的方法！不管是在空氣流通的熱帶區(qū)域中，還是在潮濕的區(qū)域中運(yùn)輸，潮濕都是顯著增加電子工業(yè)開(kāi)支的原因。這樣還是有點(diǎn)繁瑣，那么sv中有了虛接口的概念，事情就會(huì)變得更加簡(jiǎn)單了！

到底是如何操作的呢？

虛接口和對(duì)應(yīng)的通用方法可以把設(shè)計(jì)和驗(yàn)證平臺(tái)分隔開(kāi)來(lái)，保證其不受設(shè)計(jì)改動(dòng)的影響。當(dāng)我們對(duì)一個(gè)設(shè)計(jì)的引腳名字進(jìn)行改動(dòng)的時(shí)候，我們無(wú)須改動(dòng)驅(qū)動(dòng)這個(gè)接口的方法，而是只需要在例化該事務(wù)交易處理器的時(shí)候，給虛接口綁定對(duì)應(yīng)連接的實(shí)體接口即可。對(duì)于CDN的SiliconEnsemble而言后端設(shè)計(jì)所需的數(shù)據(jù)主要有是Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/OPad的庫(kù)文件，它包括物理庫(kù)、時(shí)序庫(kù)及網(wǎng)表庫(kù)，分別以。以此來(lái)實(shí)現(xiàn)事務(wù)交易處理器的更大重用性。

虛接口的定義：

virtual interface_type variable;

虛接口可以定義為類(lèi)的一個(gè)成員，可以通過(guò)構(gòu)造函數(shù)的參數(shù)或者過(guò)程進(jìn)行初始化。

虛接口應(yīng)用的具體步驟：

到此，我們就可以在事務(wù)交易處理器中，編寫(xiě)針對(duì)該接口的通用方法（如request和wait_for_bus），只要針對(duì)虛接口進(jìn)行操作就可以，而該虛接口不針對(duì)特定的具體器件，只有在事務(wù)交易處理器的對(duì)象例化創(chuàng)建時(shí)，根據(jù)具體傳遞給他參數(shù)確定。

數(shù)字ic后端設(shè)計(jì)(一)

1. 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備。

　　對(duì)于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端設(shè)計(jì)所需的數(shù)據(jù)主要有是Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/O Pad的庫(kù)文件，它包括物理庫(kù)、時(shí)序庫(kù)及網(wǎng)表庫(kù)，分別以.lef、.tlf和.v的形式給出。03與元器件關(guān)系緊密對(duì)于數(shù)字電路來(lái)說(shuō)是沒(méi)有噪音和失真的，數(shù)字電路設(shè)計(jì)者完全不用考慮這些因素。前端的芯片設(shè)計(jì)經(jīng)過(guò)綜合后生成的門(mén)級(jí)網(wǎng)表，具有時(shí)序約束和時(shí)鐘定義的腳本文件和由此產(chǎn)生的.gcf約束文件以及定義電源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(對(duì)synopsys 的Astro 而言，經(jīng)過(guò)綜合后生成的門(mén)級(jí)網(wǎng)表，時(shí)序約束文件 SDC是一樣的,Pad的定義文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/OPad的庫(kù)文件就與FRAM, CELL view, LM view 形式給出(Milkway 參考庫(kù) and DB, LIB file)

　　2. 布局規(guī)劃。

　　主要是標(biāo)準(zhǔn)單元、I/O Pad和宏單元的布局。I/OPad預(yù)先給出了位置，而宏單元?jiǎng)t根據(jù)時(shí)序要求進(jìn)行擺放，標(biāo)準(zhǔn)單元?jiǎng)t是給出了一定的區(qū)域由工具自動(dòng)擺放。，m-1位，位是第0位，位是第m-1位），然后將相乘的結(jié)果按十進(jìn)制數(shù)相加，就可以得到等值的十進(jìn)制數(shù)。布局規(guī)劃后，芯片的大小，Core的面積，Row的形式、電源及地線的Ring和Strip都確定下來(lái)了。如果必要在自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元和宏單元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .

　　3. Placement -自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元。

　　布局規(guī)劃后，宏單元、I/O Pad的位置和放置標(biāo)準(zhǔn)單元的區(qū)域都已確定，這些信息SE（SiliconEnsemble）會(huì)通過(guò)DEF文件傳遞給(PhysicalCompiler),PC根據(jù)由綜合給出的.DB文件獲得網(wǎng)表和時(shí)序約束信息進(jìn)行自動(dòng)放置標(biāo)準(zhǔn)單元，同時(shí)進(jìn)行時(shí)序檢查和單元放置優(yōu)化。常見(jiàn)的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內(nèi)部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會(huì)延伸到元件表面的內(nèi)部裂紋等。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway, read_milkway 傳遞數(shù)據(jù)。

數(shù)字ic后端設(shè)計(jì)（三)

9. Dummy Metal的增加。

　　Foundry廠都有對(duì)金屬密度的規(guī)定，使其金屬密度不要低于一定的值，以防在芯片制造過(guò)程中的刻蝕階段對(duì)連線的金屬層過(guò)度刻蝕從而降低電路的性能。加入Dummy Metal是為了增加金屬的密度。

　　10. DRC和LVS。

　　DRC是對(duì)芯片版圖中的各層物理圖形進(jìn)行設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(spacing ,width)，它也包括天線效應(yīng)的檢查，以確保芯片正常流片。這是一個(gè)有趣的話題，電阻、電容、電感的相互作用，產(chǎn)生和干擾，也是數(shù)字電路要解決的重要問(wèn)題。LVS主要是將版圖和電路網(wǎng)表進(jìn)行比較，來(lái)保證流片出來(lái)的版圖電路和實(shí)際需要的電路一致。DRC和LVS的檢查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula進(jìn)行的.Astro also include LVS/DRC check commands.

　　11. Tape out。

　　在所有檢查和驗(yàn)證都正確無(wú)誤的情況下把后的版圖GDSⅡ文件傳遞給Foundry廠進(jìn)行掩膜制造。

深圳瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷(xiāo)售企業(yè)，***從事各類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷(xiāo)售，品類(lèi)齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。

I老化原因？C

為什么老化跟時(shí)間有關(guān)？

為什么電路速度會(huì)隨時(shí)間原來(lái)越慢呢？因?yàn)閿噫I是隨機(jī)發(fā)生，需要時(shí)間積累。另外，前面提到的斷裂的Si-H鍵是可以自己***的，所以基于斷鍵的老化效應(yīng)都有***模式。對(duì)于NBTI效應(yīng)來(lái)說(shuō)，加反向電壓就會(huì)進(jìn)***模式；對(duì)于HCI效應(yīng)來(lái)說(shuō)，停止使用就進(jìn)入***模式。AstroalsoincludeLVS/DRCcheckcommands。但是這兩種方式都不可能長(zhǎng)時(shí)間發(fā)生，所以總的來(lái)說(shuō)，芯片是會(huì)逐漸老化的。

為什么老化跟溫度有關(guān)？

為什么電路速度跟溫度也有影響呢？溫度表示宏觀物體微觀粒子的平均動(dòng)能。溫度越高，電子運(yùn)動(dòng)越劇烈，Si?HSi?H鍵斷鍵幾率就大。

為什么加壓會(huì)加速老化？

為什么加壓有影響呢？同樣的晶體管，供電電壓越高偏移電壓越高，偏移電壓越高氫原子游離越快，等于壓制了自發(fā)的***效應(yīng)，自然老化就快了。