數(shù)字ic后端設(shè)計(jì)（二)

4.時(shí)鐘樹(shù)生成(CTS Clock tree synthesis) 。

芯片中的時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)要驅(qū)動(dòng)電路中所有的時(shí)序單元，所以時(shí)鐘源端門(mén)單元帶載很多，其負(fù)載很大并且不平衡，需要插入緩沖器減小負(fù)載和平衡。時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)及其上的緩沖器構(gòu)成了時(shí)鐘樹(shù)。一般要反復(fù)幾次才可以做出一個(gè)比較理想的時(shí)鐘樹(shù)。---Clock skew.

5. STA 靜態(tài)時(shí)序分析和后。

時(shí)鐘樹(shù)插入后，每個(gè)單元的位置都確定下來(lái)了，工具可以提出GlobalRoute形式的連線寄生參數(shù)，此時(shí)對(duì)參數(shù)的提取就比較準(zhǔn)確了。SE把.V和.SDF文件傳遞給PrimeTime做靜態(tài)時(shí)序分析。確認(rèn)沒(méi)有時(shí)序違規(guī)后，將這來(lái)兩個(gè)文件傳遞給前端人員做后?，F(xiàn)將目前較為流行的測(cè)試方法加以簡(jiǎn)單歸類和闡述，力求達(dá)到拋磚引玉的作用。對(duì)Astro 而言，在detail routing 之后，

用starRC XT 參數(shù)提取，生成的E.V和.SDF文件傳遞給PrimeTime做靜態(tài)時(shí)序分析，那將會(huì)更準(zhǔn)確。

6. ECO(Engineering Change Order)。

針對(duì)靜態(tài)時(shí)序分析和后中出現(xiàn)的問(wèn)題，對(duì)電路和單元布局進(jìn)行小范圍的改動(dòng).

7. Filler的插入(pad fliier, cell filler)。

Filler指的是標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和I/O Pad庫(kù)中定義的與邏輯無(wú)關(guān)的填充物，用來(lái)填充標(biāo)準(zhǔn)單元和標(biāo)準(zhǔn)單元之間，I/O Pad和I/O Pad之間的間隙，它主要是把擴(kuò)散層連接起來(lái)，滿足DRC規(guī)則和設(shè)計(jì)需要。

8. 布線(Routing)。

Global route-- Track assign --Detail routing--Routing optimization布線是指在滿足工藝規(guī)則和布線層數(shù)限制、線寬、線間距限制和各線網(wǎng)可靠絕緣的電性能約束的條件下，根據(jù)電路的連接關(guān)系將各單元和I/OPad用互連線連接起來(lái)，這些是在時(shí)序驅(qū)動(dòng)(Timing driven )的條件下進(jìn)行的，保證關(guān)鍵時(shí)序路徑上的連線長(zhǎng)度能夠。溫度越高，電子流動(dòng)所產(chǎn)生的作用就越大，其徹底***IC內(nèi)一條通路的時(shí)間就越少，即IC的壽命也就越短，這也就是高溫會(huì)縮短IC壽命的本質(zhì)原因。--Timing report clear

數(shù)字IC應(yīng)用驗(yàn)證方真技術(shù)研究

應(yīng)用驗(yàn)證是指導(dǎo)IC元器件在系統(tǒng)中的可靠應(yīng)用的關(guān)鍵,***要關(guān)注應(yīng)用系統(tǒng)對(duì)器件接口信號(hào)的影響,因此無(wú)論是采用純軟件還是軟硬件協(xié)同的方式進(jìn)行應(yīng)用驗(yàn)證都需要先完成應(yīng)用系統(tǒng)的PCB工作。本文提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案以基IBIS模型在多個(gè)平臺(tái)進(jìn)行PCB SI(Signal Integrity)的方式提取出所需的數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用環(huán)境的模擬;在此基礎(chǔ)上通過(guò)軟件和軟硬件協(xié)同兩種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)字IC器件的應(yīng)用驗(yàn)證。為保證應(yīng)用驗(yàn)證的順利進(jìn)行,對(duì)方案中涉及到的IBIS建模、PCB SI和S參數(shù)的提取及等技術(shù)進(jìn)行了研究。net）更重要的是，藉由這個(gè)方法可以增加Gate端和下層的接觸面積。

提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案的指導(dǎo)下,以SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證為例進(jìn)行了相關(guān)的技術(shù)探索。首先對(duì)IBIS模型建模技術(shù)進(jìn)行了深入研究,并完成了SRAM以及80C32等相關(guān)IC器件的IBIS模型建模工作;接著基于IBIS模型進(jìn)行PCB SI,模擬了SRAM的板級(jí)應(yīng)用環(huán)境并提取了應(yīng)用驗(yàn)證所需的數(shù)據(jù);后分別對(duì)適用于SRAM的軟件平臺(tái)和軟硬件協(xié)同平臺(tái)進(jìn)行了相關(guān)設(shè)計(jì),并完成了SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證。通過(guò)對(duì)SRAM的應(yīng)用驗(yàn)證,證明了本文所提出的應(yīng)用驗(yàn)證技術(shù)方案的可行性。當(dāng)元件暴露在回流焊接期間升高的溫度環(huán)境下，陷于塑料的表面貼裝元內(nèi)部的潮濕會(huì)產(chǎn)生足夠的蒸汽壓力損傷或毀壞元件。

數(shù)字IC管腳狀態(tài)

根據(jù)CMOS數(shù)字IC管腳間的等效結(jié)構(gòu),給出了無(wú)偏置時(shí)任意兩管腳之間的電壓;其次,探討了地開(kāi)路時(shí)的輸出管腳的狀態(tài);然后,提取了電源浮空時(shí)的等效電路;后,利用所提取的等效電路,對(duì)二極管結(jié)構(gòu)電源浮空電位和浮阱結(jié)構(gòu)電源浮空電位進(jìn)行了計(jì)算。

深圳瑞泰威科技有限公司是國(guó)內(nèi)IC電子元器件的代理銷(xiāo)售企業(yè)，***從事各類驅(qū)動(dòng)IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、觸摸IC銷(xiāo)售，品類齊全，具備上百個(gè)型號(hào)。與國(guó)內(nèi)外的東芝、恩智浦、安森美、全宇昕、上海晶準(zhǔn)等均穩(wěn)定合作，保證產(chǎn)品的品質(zhì)和穩(wěn)定供貨。自公司成立以來(lái)，飛速發(fā)展，產(chǎn)品已涵蓋了工控類IC、光通信類IC、無(wú)線通信IC、消費(fèi)類IC等行業(yè)。門(mén)電路是半定制數(shù)字集成電路的積木（StardardCell），所有的邏輯都將通過(guò)它們的實(shí)現(xiàn)。