薄膜電容廠(chǎng)家說(shuō)說(shuō)電容器很快就出問(wèn)題的原因

帶電荷合閘引起電容器的b破：

任何額定電壓的電容器組，均應(yīng)禁止帶電荷合閘。電容器組每次重新合閘，必須于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)電容器放電3min后進(jìn)行。

電容器對(duì)過(guò)高的電壓反應(yīng)是明顯的。按規(guī)定，電容器可以在1.1倍額定電壓下長(zhǎng)期運(yùn)行。但是，CL11電容，在負(fù)荷輕的情況下，網(wǎng)路電壓常常超過(guò)這個(gè)數(shù)值。特別是對(duì)于農(nóng)網(wǎng)，由于農(nóng)村電網(wǎng)夜間負(fù)荷很輕，因此無(wú)功補(bǔ)償?shù)碾娙萜?，在夜間承受的工作電壓，往往長(zhǎng)時(shí)間高于這個(gè)允許值。這就要求人們應(yīng)該選擇具有較高額定電壓的電容器，電容，以降低電容器本身由于過(guò)高電壓引起的介質(zhì)損耗和由于熱老化引起的電容器壽命的減少。

溥膜電容廠(chǎng)家講述電容為什么會(huì)出現(xiàn)扭曲失效？

***T之后生產(chǎn)階段導(dǎo)致的失效

電路板切割﹑測(cè)試﹑背面組件和連接器安裝﹑及后組裝時(shí)，溥膜電容廠(chǎng)家提醒：若焊錫組件受到扭曲或在焊錫過(guò)程后把電路板拉直，都有可能造成‘扭曲’這類(lèi)的損壞。

在機(jī)械力作用下板材彎曲變形時(shí)，陶瓷的活動(dòng)范圍受端位及焊點(diǎn)限制，就會(huì)在陶瓷的端接界面處形成，這種會(huì)從形成的位置開(kāi)始，從45°角向端接蔓延開(kāi)來(lái)。

更好的解決溥膜電容頻率高，總線(xiàn)周期特別快的情況，蘇州薄膜電容廠(chǎng)家為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：

減小信號(hào)傳輸中的畸變：

微控制器主要采用高速CMOS技術(shù)制造。信號(hào)輸入端靜態(tài)輸入電流在1mA左右，滌綸電容，輸入電容10PF左右，輸入阻抗相當(dāng)高，高速CMOS電路的輸出端都有相當(dāng)?shù)膸лd能力，即相當(dāng)大的輸出值，將一個(gè)門(mén)的輸出端通過(guò)一段很長(zhǎng)線(xiàn)引到輸入阻抗相當(dāng)高的輸入端，反射問(wèn)題就很?chē)?yán)重，它會(huì)引起信號(hào)畸變，增加系統(tǒng)噪聲。當(dāng)Tpd＞Tr時(shí)，就成了一個(gè)傳輸線(xiàn)問(wèn)題，必須考慮信號(hào)反射，阻抗匹配等問(wèn)題。