氮化硅真空鍍膜MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

(3) 啟動機械泵，抽一分鐘左右之后，打開復合真空計，當示數(shù)約為10E-1量級時，啟動分子泵，頻率為400HZ (默認)，同時預熱離子清洗打開直流或射流電源及流量顯示儀。

(4) (選擇操作)打開加熱控溫電源。啟動急?？刂疲瑘缶劣谕ㄎ恢?，功能選則為烘烤。

(5)當真空度達到5X 10-4Pa時，關閉復合真空計，開啟電離真空計，通氣(流量20L/min)，打開氣路閥，將流量計I撥至閥控檔，穩(wěn)定后打開離子源，依次調節(jié)加速至200V~250V，中和到12A左右，陽極80V;陰極10V，陽極300V。從監(jiān)控程序中調出工藝設置文件，啟動開始清洗。

(6)清洗完成后，氮化硅真空鍍膜加工，按離子源參數(shù)調節(jié)相反的順序將各參數(shù)歸零，關閉離子源，將流量計Ⅱ置于關閉檔。

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真空鍍膜機設計應該注意什么，能減少撿漏工作

結構設計時，在容器或系統(tǒng)上要留有必要的檢漏儀器備用接口，以便在設備組裝、調試過程中檢漏使用。尤其是大型、復雜的管路系統(tǒng)，通常需要采用分段檢漏方法，因此在管路上要設置分段隔離的閥門，并在每一隔離段上預留檢漏儀器接口。

零件結構設計時，盡量避免采用可能干擾檢漏工作的設計方案。例如在真空室內螺釘孔不能采用盲孔形式，因為安裝螺釘后螺孔內部剩余空間的氣體只能通過螺紋間隙逸出，形成虛漏。從而延長系統(tǒng)抽氣時間，干擾檢漏正常進行。如圖真空檢漏中不應出現(xiàn)的結構。

與此類似，結構設計中不允許存在連續(xù)雙面焊縫和多層密封圈結構，因為這會在中間形成“寄生積”內的氣體會形成虛漏；而當內、外雙側焊縫或密封圈同時泄漏時，“寄生容積”使示漏氣體穿越雙層焊縫的響應時間過長，無法正常檢漏。

焊接結構設計時，盡量減少總裝后無法檢漏的焊縫。

      真空鍍膜機撿漏工作，是需要在設計、制造、調試、使用各個有關環(huán)節(jié)中隨時進行，但是為了減少后期撿漏工作加重，必須要在設計環(huán)節(jié)，就應該重視撿漏工作，確保真空鍍膜機后期環(huán)節(jié)撿漏環(huán)節(jié)的減少。

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那么電子束蒸發(fā)鍍膜機，主要應用在哪些領域呢？電子束蒸發(fā)鍍膜機，因其高沉積速率和高材料利用效率而被廣發(fā)應用于例如航空航天領域、汽車行業(yè)、激光科學，我們常見的太陽能電池板、建筑玻璃，主要是賦予這些所需的導電、反射和透射的特性。另外，還有一些，行業(yè)或產品，對材料的耐高溫、耐磨性有很高的要求和標準，這些都需要電子束蒸發(fā)鍍膜。

另外，北京氮化硅真空鍍膜，比較被常被問到的一個問題就是，電子束蒸發(fā)鍍膜和熱蒸發(fā)相比，有哪些優(yōu)勢呢？

二者主要的區(qū)別，也是本質的區(qū)別是工作原理不同。上面我們提到了，電子束熱蒸發(fā)鍍膜的工作原理是使用電子束轟擊材料源，產生高能熱量，使材料蒸發(fā)，而熱蒸發(fā)，顧名思義是通過加熱來完成這一工作流程的。

首先電子束蒸發(fā)源尺寸多樣，還可以分為單腔或者多腔。因為其加熱溫度高，可允許高溫材料和難熔金屬的非常高的沉積速率和蒸發(fā)。其次，電子束蒸發(fā)鍍膜可以控制污染，甚至可以說，由于能夠嚴格限制原材料占據(jù)區(qū)域，從而可以消除相鄰組件間的不必要污染。而且電子束蒸發(fā)相比熱蒸發(fā)，可以沉積更薄、更高純度的薄膜。

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