真空鍍膜工藝MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，電子束蒸發(fā)真空鍍膜工藝，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

由工作氣壓與沉積率的關(guān)系表可以看出:在其他參數(shù)不變的條件下，陜西真空鍍膜工藝，隨著工氣壓的增大，沉積速增大后減小。在某一個佳工作氣壓下，有一個對應(yīng)的大沉積速率。

3.5.1試驗結(jié)果分析

氣體分子平均自由程與壓強(qiáng)有如下關(guān)系

其中為氣體分子平均自由程，k為玻耳茲曼常數(shù)，T為氣體溫度，d為氣體分子直徑，p為氣體壓強(qiáng)。由此可知，在保持氣體分子直徑和氣體溫度不變的條件下，如果工作壓強(qiáng)增大，則氣體分子平均自由程將減小，濺射原子與氣體分子相互碰撞次數(shù)將增加，二次電子發(fā)射將增強(qiáng)。

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真空鍍膜機(jī)設(shè)計應(yīng)該注意什么，能減少撿漏工作

 為了保證真空鍍膜機(jī)具有良好的密封性能，必須要在切斷可能存在漏孔的原因，因此僅僅在設(shè)備安裝完畢后去尋求漏孔的位置，堵塞漏孔的通道是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。必須要在設(shè)置真空鍍膜機(jī)設(shè)計就要進(jìn)行真空檢漏工作。下面真空小編為大家在設(shè)計環(huán)節(jié)就開始需要進(jìn)行撿漏的一些真空鍍膜注意事項：

1、根據(jù)設(shè)備的工藝要求，確定真空鍍膜機(jī)的總的允許漏率，功率器件真空鍍膜工藝，并依據(jù)這一總漏率確定各組成部件的允許漏率。

2、根據(jù)設(shè)備的允許漏率等指標(biāo)，在設(shè)計階段就初步確定將要采用的檢漏方法，電極真空鍍膜工藝，并將其作為指導(dǎo)調(diào)試 驗收的基本原則之一。

3、根據(jù)設(shè)備或部件的允許漏率指標(biāo)，決定設(shè)備的密封、連接方式和總體加工精度，以及何種動密封形式能夠滿足要求。如，法蘭采用金屬密封或橡膠密封。

4、容器結(jié)構(gòu)強(qiáng)度設(shè)計時，考慮如果采用加壓法檢漏被檢件所應(yīng)具有的耐壓能力和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

5、選擇零部件結(jié)構(gòu)材料時，考慮是否使用了可能被工作介質(zhì)和示漏氣體腐蝕而導(dǎo)致?lián)p壞的材料。

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真空鍍膜工藝MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

在對純度為99.9%的銅濺射靶材的研究中，發(fā)現(xiàn)在制備Cu靶材時不可避免地會引入硫和鉛。微量S的加入可以防止熱加工時晶粒尺寸變大和微裂紋產(chǎn)生使表面粗糙。但是，當(dāng)S的含量高于18ppm時，會再次出現(xiàn)微裂紋。隨著S和Pb含量的增加，裂紋數(shù)量和電弧放電次數(shù)增加。因此，應(yīng)盡量減少靶材中的雜質(zhì)含量。減少濺射薄膜的污染源，提高薄膜的均勻性。

濺射靶材制備工藝條件的控制

對于熱導(dǎo)率較差的靶材，例如***濺射靶材，往往會因為靶材中的雜質(zhì)而阻礙熱傳遞。生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導(dǎo)致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。因此，在靶材制備和控制純度的過程中，還要控制制備工藝條件。

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