MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

光刻之所以得名，就是因?yàn)樗ㄟ^利用光線，把帶有圖案的掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。由于半導(dǎo)體技術(shù)的主要目標(biāo)是盡可能的縮小電路尺寸，所以對(duì)光刻的精度要求也越來越高。高精度的光刻機(jī)是光刻步驟的基礎(chǔ)，這就是為什么“光刻”成為備受關(guān)注的工藝步驟。

為了支持更高精度的光刻，也有***的光刻機(jī)被制造出來。目前***的光刻機(jī)技術(shù)是極紫外光刻技術(shù)（EUV，Extreme Ultra-violet），它使用波長為13.5納米的極紫外線作為光源進(jìn)行電路光刻，可以制造出7納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)的芯片。A***L是EUV光刻機(jī)的***廠商，其新型號(hào)的光刻機(jī)號(hào)稱可實(shí)現(xiàn)0.3納米的精度。

光刻技術(shù)是半導(dǎo)體芯片工藝中昂貴的工藝，在***工藝中，光刻步驟的成本可以占整個(gè)芯片加工成本的三分之一甚至更多。

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MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，天津半導(dǎo)體光刻工藝，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，半導(dǎo)體光刻工藝廠商，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

薄膜工藝就是指在半導(dǎo)體晶晶圓片上沉積各種材料，以實(shí)現(xiàn)不同電路功能或特性的過程。和前面幾個(gè)工藝步驟是按工藝過程來命名不同，這一步驟命名方式是按材料的“狀態(tài)”來命名的。這個(gè)命名甚至讓人看起來有些費(fèi)解，從示意圖看，半導(dǎo)體器件看上去都是厚厚的一個(gè)個(gè)器件，半導(dǎo)體光刻工藝代工，哪來的薄膜？

其實(shí)為了理解方便，半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)在圖示時(shí)經(jīng)過了抽象和不等比例的放大，實(shí)際中半導(dǎo)體器件在晶圓片上非常薄的一層內(nèi)實(shí)現(xiàn)。通常厚度在1微米以內(nèi)。對(duì)于一個(gè)8英寸（200毫米）的晶圓片來說，1微米的厚度薄膜的制作，相當(dāng)于在200米直徑的操場上，均勻的堆積1毫米厚的沙子。這層薄膜非常的薄，但功能卻非常強(qiáng)大。各個(gè)半導(dǎo)體器件之間或是金屬連接，或是電場聯(lián)系，均需要用這些薄膜層實(shí)現(xiàn)。薄膜層實(shí)現(xiàn)了各器件間復(fù)雜貫穿的“阡陌交通”。正是因?yàn)檫@層結(jié)構(gòu)非常的薄，于是就被稱作“薄膜”工藝。這么薄的膜層不能通過機(jī)械方式來制造，于是，摻雜“沉積”（Deition）工藝被發(fā)明出來。

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MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，半導(dǎo)體光刻工藝制作，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)各薄膜層精度的要求也越來越高，于是，需要對(duì)晶圓表面進(jìn)行平坦化，消除不同材料層之間的起伏和缺陷，提高光刻的精度和質(zhì)量。

拋光（Polishing）就是用于晶圓表面薄膜層平整化的技術(shù)。拋光工藝中，主要的工藝是CMP（化學(xué)機(jī)械拋光，Chemical Mechanical Polishing），CMP是一種利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械摩擦的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的技術(shù)，研磨對(duì)象主要是淺溝槽隔離(STI)，層間膜和銅互連層等。

以上就是芯片制造中的主要工藝，以上工藝以硅基半導(dǎo)體為主要參考，其他工藝（如GaAs、SiGe等化合物半導(dǎo)體）會(huì)略有不同，但基本思路一致。

在具體半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)上，通過將以上關(guān)鍵工藝的有機(jī)整合，形成一個(gè)完整的工藝流程，就可以完成半導(dǎo)體工藝的開發(fā)。

  總  結(jié)    芯片的制造工藝是一個(gè)復(fù)雜的過程，關(guān)鍵工藝也并不只有光刻，還包括晶圓加工、氧化、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等多個(gè)步驟，每個(gè)步驟都對(duì)半導(dǎo)體性能和功能有重要影響。

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