對于藍寶石基板來說，它在成為一片合格的襯底之前大約經(jīng)歷了從切割、粗磨、精磨、以及拋光幾道工序。以2英寸藍寶石為例：

1. 切割：切割是從藍寶石晶棒通過線切割機切割成厚度在500um左右的。在這項制程中，金剛石線鋸是主要的耗材，目前主要來自日本、韓國與臺灣地區(qū)。

2. 粗拋：切割之后的藍寶石表面非常粗糙，需要進行粗拋以修復較深的刮傷，改善整體的平坦度。這一步主要采用50~80um的B4C加Coolant進行研磨，研磨之后表面粗糙度Ra大約在1um左右。

3. 精拋：接下來是較精細的加工，因為直接關系到后成品的良率與品質(zhì)。目前標準化的2英寸藍寶石基板的厚度為430um，因此精拋的總?cè)コ考s在30um左右?？紤]到移除率與后的表面粗糙度Ra，這一步主要以多晶鉆石液配合樹脂錫盤以Lapping的方式進行加工。

現(xiàn)況：　　

為了滿足市場對于更低成本和更高生產(chǎn)力的要求，新一代線鋸必須提升切割速度，使用更長的硅塊從而提高切割荷載。更細的切割線和更薄的硅片都提升了生產(chǎn)力，同時，***的工藝控制可以管理切割線拉力以此保持切割線的牢固性。

使用不止一組切割切割線是在保持速度的前提下提高機臺產(chǎn)量的一個創(chuàng)新方法。應用材料公司新的MaxEdge系統(tǒng)采用了的兩組***控制的切割組件。

MaxEdge是業(yè)界個專門設計使用細切割線的線鋸系統(tǒng)，低可達到80μm。相對于業(yè)界的應用材料公司HCTB5線鋸系統(tǒng)，這些改進減少了硅料損失使產(chǎn)量提高多達50%。

更高生產(chǎn)力的線鋸系統(tǒng)在同樣的硅片產(chǎn)量下可以減少機臺數(shù)量。因此，制造商可以大幅降低設備、操作人員和維護的成本。

芯片的背部減薄制程

1. Grinding制程：

對外延片以Lapping的方式雖然加工品質(zhì)較好，但是移除率太低，也只能達到3um/min左右，如果全程使用Lapping的話，加工就需耗時約2h，時間成本過高。目前的解決方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通過鉆石砂輪與減薄機的配合來達到快速減薄的目的。

2. Lapping制程

減薄之后再使用6um左右的多晶鉆石液配合樹脂銅盤，既能達到較高的移除率，又能修復Grinding制程留下的較深刮傷。一般來說切割過程中發(fā)生裂片都是由于Grinding制程中較深的刮傷沒有去除，回收破碎銀漿，因此此時對鉆石液的要求也比較高。

除了裂片之外，有些芯片廠家為了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后還會在外延片背面鍍銅，此時對Lapping之后的表面提出了更高的要求。雖然有些刮傷不會引起裂片，但是會影響背鍍的效果。此時可以采用3um多晶鉆石液或者更小的細微性來進行Lapping制程，以達到更好的表面品質(zhì)。