二、表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，拆卸太陽(yáng)能板***回收，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有***，***和***等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的***稀溶液來(lái)制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異***等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須***行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。經(jīng)過(guò)表面準(zhǔn)備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應(yīng)盡快擴(kuò)散制結(jié)。

六、鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜。現(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，拆卸太陽(yáng)能板回收價(jià)格，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導(dǎo)體材料的基石，它是先通過(guò)拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價(jià)電子數(shù)為4，序數(shù)適中，所以硅元素具有特殊的物理化學(xué)性質(zhì)，可用在化工、光伏、芯片等領(lǐng)域。特別是在芯片領(lǐng)域，正式硅元素的半導(dǎo)體特性，使其成為了芯片的基石。在光伏領(lǐng)域，可用于太陽(yáng)能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達(dá)到25.8%，開(kāi)采較為方便，客退太陽(yáng)能板回收，可回收性強(qiáng)，所以價(jià)格低廉，進(jìn)-步增強(qiáng)了硅的應(yīng)用范圍。

印刷電路板將零件與零件之間復(fù)雜的電路銅線，經(jīng)過(guò)細(xì)致整齊的規(guī)劃后，蝕刻在一塊板子上，提供電子零組件在安裝與互連時(shí)的主要支撐體，是所有電子產(chǎn)品不可或缺的基礎(chǔ)零件。

印刷電路板以不導(dǎo)電材料所制成的平板，在此平板上通常都有設(shè)計(jì)預(yù)鉆孔以安裝芯片和其它電子組件。組件的孔有助于讓預(yù)先定義在板面上印制之金屬路徑以電子方式連接起來(lái)，將電子組件的接腳穿過(guò)PCB后，安慶太陽(yáng)能板，再以導(dǎo)電性的金屬焊條黏附在PCB上而形成電路。

依其應(yīng)用領(lǐng)域PCB可分為單面板、雙面板、四層板以上多層板及軟板。一般而言，電子產(chǎn)品功能越復(fù)雜、回路距離越長(zhǎng)、接點(diǎn)腳數(shù)越多，PCB所需層數(shù)亦越多，如高階消費(fèi)性電子、信息及通訊產(chǎn)品等；而軟板主要應(yīng)用于需要彎繞的產(chǎn)品中：如筆記型計(jì)算機(jī)、照相機(jī)、汽車儀表等。