振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，***償還，返工，光伏模塊回收等。

晶體硅電池片檢驗方法：

2 ） 外觀目測：

a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻 一致 ，無明顯色差花斑、水痕、手印、劃痕及污垢。

b. 隱裂：電池片有隱裂、 肉眼可見的裂紋， 均視為不合格

c. 背面鋁背電極完整，表面平整 、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ， 脫落 3mm 2 / 個 ≤ 5mm 2 、鼓泡累計面積≤5mm

2 ， 背面鋁膜與基體材料的附著強度? 背膜燒結(jié)：用層壓機 130 — 145 度，超過 10 分鐘。冷卻到室溫后，用刀片隔開 1cm 的寬度，用大于 50N 的拉力，鉛膜不隨 EVA 脫落，則認為合格。

d. 受光面柵線：主柵線均勻完整，柵線印刷清晰、對稱；主柵線與細柵線處允許≤ 1mm ；細柵線允許≤ 2mm 的脫落；柵線印刷偏離，明顯兩次印刷的返工片視為不合格；斷點的總數(shù)≤ 60mm。

e. 崩邊：每一邊不超過兩處崩邊，崩邊間距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面積≤ mm 2

f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ，數(shù)量不超過 2 個。缺角：一邊有一處崩邊，面積≤5mm 2 ，一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2

g. 電池的崩邊、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求：長度不大于 1.5mm ，由邊緣向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處。同時不允許電池上 V 形缺口。

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PECVD

PE 目的

在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

其化學反應可以簡單寫成 ： SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

基本 原理

PECVD 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電（或另加發(fā)熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 PECVD 方法區(qū)別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的***能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學基團，因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現(xiàn)。

基本特征

1. 薄膜沉積工藝的低溫化（ lt; 450 ℃ ）。

2. 節(jié)省能源，降低成本。

3. 提高產(chǎn)能。

4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

擴散方式

PE 設(shè)備有兩類：平板式和管式。

按反應方式分為：直接式（島津）和間接式（ Roth ＆ Rau ）。

直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。

間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) NH3 ，而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多，這對大規(guī)模生產(chǎn)尤其重要。

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STF 印制：

A 級：

標識要有虛印、粗印現(xiàn)象（字母線寬度應小于 0.22mm ）但仍可辨識時作為 A 級。若標識存在缺印但仍可辨識時，按字母高度的 1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。

B 級：

標識要有虛印、粗印現(xiàn)象，字母線寬度應小于 0.22mm ，但仍可辨識時，如實心“ P ”，若標識存在缺印但仍可辨識時，按字母高度的

1/3 判定，缺失長度小于字母高度 1/3 。

C 級：

若字母變形或無法辨識時直接降為 C 級。

新的標準與舊的相同

缺陷片：

1． 主柵線或副柵線或背電極或背電場超出 c 級降級片的要求時，但仍有利用價值的片子。

2． 由于存儲不當造成成電極氧化時，直接以報廢片處理

3． 僅印刷烘干而沒有經(jīng)過燒結(jié)的電池片，如果還有利用價值，則租鋪位缺陷片處理

4． 完全未印制背電場的電池片作缺陷片處理。

5． 疊片仍有利用價值的作為缺陷片，如果全疊片則作為報廢片處理。

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