中頻磁控濺射鍍膜技術(shù)是磁控技術(shù)另一新里程碑，作為目前國(guó)內(nèi)外***新的中頻孿生靶磁控濺射反應(yīng)技術(shù)，在近幾年得到了迅猛的發(fā)展，除了在制備金屬膜時(shí)具有較高的穩(wěn)定性外，在沉積氮化物、氧化物等介質(zhì)膜時(shí)，解決了過去直流磁控濺射中弧光放電和陽(yáng)極消失等問題，并具濺射速率快等優(yōu)點(diǎn)，它能夠在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)獲得較高的沉積速率和維持穩(wěn)定的鍍膜狀態(tài)。一種中頻反應(yīng)磁控濺射設(shè)備二氧化硅膜設(shè)備，包括真空鍍膜室、雙靶、反應(yīng)氣體供氣管道、工作氣體供氣管道、中頻電源、壓電閥控制器和壓電閥，雙靶裝在屏蔽罩內(nèi)，真空鍍膜室內(nèi)的反應(yīng)氣體供氣管道位于雙靶的對(duì)稱中心線上，中頻電源的兩個(gè)輸出端各接到一個(gè)靶上，中頻電源的控制線壓電閥控制器，壓電閥和反應(yīng)氣體供氣管道構(gòu)成閉環(huán)控制回路。本實(shí)用新型提供了一種能使靶面處于過渡狀態(tài)，既能保證膜層的成分，又具有足夠高的沉積速率，實(shí)現(xiàn)閉環(huán)控制的中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射制備二氧化硅膜設(shè)備。適合鍍制銦錫合金（ITO）、氧化鋁（AL203）、二氧化硅（SiO2）、氧化鈦（TiO2）、氧化硅（Si3N4）等，配置多個(gè)靶及膜厚儀可鍍制多層膜。